Hace poco me preguntaron por que los diodos de silicio tienen aprox. 0,7V de tension de umbral y los de germanio unos 0,3V y por que hay algunos de silicio que tienen 0,5V. Como no encontré una respuesta en la red aprovecho para explicarlo aca ya que seguro les va a interesar. Voy a dar una explicacion breve y a poner solo la ecuacion pero no la demostracion por que es medio complicada. Ahi vamos...
La tension de umbral en los semiconductores depende basicamente de la temperatura, de la concentracion de portadores instrinsicos del semiconductor y de la cantidad de impurezas que donoras y aceptoras que tenga este.

Vu = [(K.T)/q]*ln([Na.Nd]/ni)

Siendo:

• Vu - la tension de umbral
• K - la constante de Boltzman
• T - la temperatura en grados Kelvin
• q - la carga del electron
• Na - la concentracion de impurezas aceptoras
• Nd - la concentracion de impurezas donoras
• ni - la concentracion de portadores intrinsica del semiconductor (que depende de la temperatura)

Como (ni) en el germanio a temperatura ambiente es casi el doble que en el silicio hace que la tension caiga casi a la mitad para la misma concentracion Na y Nd.

Saludos!

Perdon, me equivoqué la ecuacion es:

Vu = [(K.T)/q]*ln([Na.Nd]/ni^2)

Saludos!